Меню

Схема усилительного каскада по постоянному току

ElectronicsBlog

Обучающие статьи по электронике

Биполярные транзисторы.Часть 3.Усилительный каскад.

Здравствуйте, продолжим знакомство с биполярными транзисторами. В предыдущем посте был рассмотрен транзистор в качестве электронного ключа. Но это ещё не все возможности биполярных транзисторов, можно сказать даже ключевой режим работы – это лишь малая доля в схемах, где используются транзисторы. В львиной доле транзисторных схем транзистор используется в качестве усилительного прибора. В данных схемах транзистор используется в так называемой активной области. Транзистор в качестве усилительного прибора, включается в усилительный каскад, который кроме транзистора содержит ещё цепи питания, нагрузку и цепи связи с последующим каскадом.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Схемы включения транзистора

Для биполярных транзисторов возможны три схемы включения, которые обладают способностью усиливать мощность: с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК). Схемы отличаются способом включения источника сигнала и нагрузки (RН).

OE_BT

Схема с общим эмиттером

OB_BT

Схема с общей базой

OC_BT

Схема с общим коллектором.

Для всех схем включения транзистора при отсутствии сигнала, подаваемого от источника (еГ), необходимо установить начальный режим по постоянному току – режим покоя. При этом как и говорилось в предыдущем посте эмиттерный переход должен быть открытым, а коллекторный – закрытым. Для транзисторов p-n-p это достигается подачей отрицательного напряжения на коллектор (коллекторного напряжения E0C) и отрицательного напряжения на базу (напряжения смещения E0B). Для транзисторов n-p-n полярность этих напряжений должна быть противоположной. Режим покоя транзистора опредяляется положением его рабочей точки, которое зависит от тока эмиттера IE (практически равного току коллектора IС и зависящего от E0B) и от напряжения E0C.

Усилительные параметры транзистора

Усилительные свойства транзисторов для малого переменного сигнала оцениваются с помощью различных систем параметров, связывающих входные токи и напряжения, но нормируются только два основных параметра: h21e и fТ (или fh21b). Зная параметр транзистора h21e для заданного режима покоя IE, можно с помощью следующих формул определить основные параметры усилительного каскада в области НЧ:

где S — проводимость транзистора, re — сопротивление эмиттера транзистора.

Таким образом, можно вычислить значения |K| — коэффициент усиления напряжения транзистора, |Ki| — коэффициент усиления тока транзистора, ZВХ — входное сопротивление транзистора:

Параметры усилительного каскада Схема включения
ОЭ ОБ ОК
|K| S*RH S*RH S*RH /( 1 + S*RH)
|Ki| h21e h21e/(1 + h21e) h21e
ZВХ h21e*re re h21e*RH

Области применения усилительных каскадов ОЭ, ОБ и ОК определяются их свойствами.

Каскад с общим эмиттером обеспечивает усиление, как по напряжению, так и по току. Его входное сопротивление порядка сотен Ом, а выходное – десятков кОм. Отличительная особенность – изменяет фазу усиливаемого сигнала на 180°. Обладает лучшими усилительными свойствами по сравнению с ОБ и ОК и поэтому является основным типом каскада для усиления малых сигналов.

Каскад с общей базой обеспечивает усиление только по напряжению (практически такое же, как ОЭ). Входное сопротивление каскада в (1+h21e) раз меньше, чем ОЭ, а выходное – в (1+h21e) раз больше. В отличие от ОЭ каскад ОБ не изменяет фазы усиливаемого сигнала. Малое входное сопротивление каскада ОБ ограничивает его применение в УНЧ: практически он используется только как элемент дифференциального усилителя.

Каскад с общим коллектором обеспечивает усиление только по току (практически такое же, как ОЭ). В отличие от ОЭ каскад ОК не изменяет фазы усиливаемого сигнала. При К = 1 каскад ОК как бы повторяет усиливаемое напряжение по величине и фазе. Поэтому такой каскад называется эмиттерным повторителем. Входное сопротивление ОК зависит от сопротивления нагрузки RH и велико (почти в h21e раз больше RH), а выходное сопротивление зависит от сопротивления источника сигнала RГ и мало (почти в h21e раз меньше RГ). Каскад ОК благодаря большому входному и малому выходному сопротивлению находит применение как в предварительных, так и в мощных УНЧ.

Цепи питания биполярных транзисторов

Для обеспечения заданного режима работы биполярного транзистора требуется установить положение точки покоя, определяемое током покоя IС. С этой целью на электроды транзистора должны быть поданы два напряжения: коллекторное и напряжение смешения базы. Полярность этих напряжений зависит от структуры транзистора. Для транзисторов p-n-p оба этих напряжения должны быть отрицательными, а для n-p-n – положительными, относительно эмиттера транзистора.. Величины коллекторного и базового напряжения должны быть различны; кроме того, различными оказываются и требования к стабильности этих напряжений. Поэтому используются две отдельные цепи питания – коллектора и базы.

Питание коллектора

Цепи питания коллектора содержат элементы, показанные ниже.

tzep_pitaniya_collectora

В многокаскадных усилителях коллекторные цепи всех каскадов подключаются параллельно к одному общему источнику E0C. В этом случае цепь питания коллектора содержит развязывающий фильтр RфCф. Назначение такого фильтра – устранить паразитную обратную связь через общий источник питания. При питании от сети переменного тока, кроме того, уменьшаются пульсации напряжения питания. Резистор Rф включают последовательно с нагрузкой RН, и на нём теряется часть коллекторного напряжения. Поэтому рекомендуется сопротивление Rф выбирать исходя из допустимого падения напряжения:

Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора UCE выбирается в пределах

При этом минимальное значение UC не должно быть менее 0,5 В, иначе рабочая точка переходит в область насыщения и возрастают нелинейные искажения.

Схема цепей питания базы

Цепи питания базы содержат элементы, показанные ниже

ficsirovannoe_tok_BT

Схема с фиксированным током

ficsirovannoe_napryaz_BT

Схема с фиксированным напряжением

automatic_smeschenie_BT

Схема с автоматическим смещением

Заданный режим работы транзистора устанавливается путём подачи на его базу требуемого напряжения смещения UB или создания в цепи базы требуемого тока смещения IB. В обоих случаях между эмиттером и базой устанавливается напряжение UBE,равное (в зависимости от IB) 0,1…0,3 В (для германиевых транзисторов) или 0,5…0,7 В (для кремниевых). Смещение базы может осуществляться от общего с коллектором источника питания E0C или от отдельного источника питания базовых цепей E.

Читайте также:  Блок питания стабилизированный ток нагрузки блока питания

При питании от E0C смещение базы может быть фиксированным (по току или напряжению) или автоматическим. Схемы с фиксированным током и с фиксированным напряжением не обеспечивают стабильности рабочей точки транзистора при изменении температуры.

Расчёт усилительного каскада

Схема с автоматическим смещением, получившая наибольшее распространение, содержит три резистора: Rb1, Rb2 и RE. За счёт отрицательной обратной связи создаваемой RE в цепи эмиттера, достигается требуемая стабилизация рабочей точки. Блокировочный конденсатор CE используется для устранения нежелательной обратной связи по переменному току. Схема эффективна как для германиевых, так и для кремниевых транзисторов. Для определения величин Rb1, Rb2 и RE должны быть известны напряжение источника питания E0C и ток покоя IС. Ориентировочные значения Rb1, Rb2 и RE могут быть определены с помощью приведённых ниже формул.

Входящие в вышеприведённые формулы b, c и UBE зависят от типа транзистора и режима его работы.

Для германиевых транзисторов выбираются: b ≈ 0,2; с – в пределах 3…5; UBE – в пределах 0,1…0,2.

Для кремниевых транзисторов: b ≈ 0,1; с – в пределах 10…25; UBE – в пределах 0,6…0,7.

При увеличении c и уменьшении b стабильность схемы снижается. Большие значения UBE выбирают для больших значений IС.

Теория это хорошо, но без практического применения это просто слова.Здесь можно всё сделать своими руками.

Источник

Расчет усилительного каскада по постоянному току.

ГЛАВА 1.

Усилительные каскады на биполярных транзисторах.

Усилительный каскад с общим эмиттером.

Принципиальная полная схема резисторного усилителя на биполярном транзисторе показана на рис. 1.1.

Рассмотрим назначение всех элементов, образующих схему каскада. Резисторы R1, R2, Rэ, Rк обеспечивают работу транзистора в выбранном режиме по постоянному току. Резистор Rэ и делитель R1, R2 составляют цепь отрицательной обратной связи, предназначенную для стабилизации рабочей точки транзистора по температуре и разбросу параметров. Включение резистора Rэ в цепь эмиттера изменяет работу каскада и при усилении переменного сигнала. Переменный ток эмиттера создает на резисторе Rэ падение напряжения uэ=iэRэ, которое уменьшаетусиливаемое напряжение, подводимое к базе, ведь uбэ=uвх-uэ. При этом снижается и коэффициент усиления каскада, поскольку действует отрицательная обратная связь по переменному току. Для ее исключения резистор Rэ шунтируют конденсатором Сэ достаточно большой емкости. Конденсаторы С1 и С2 препятствуют передаче постоянной составляющей как в цепь источника сигнала, так и в нагрузку. В качестве нагрузки может выступать последующий усилительный каскад, тогда роль Rн и Cн играют входное активное сопротивление и входная емкость этого каскада.

Расчет усилительного каскада по постоянному току.

Будем считать заданными режимные величины Iэ≈Iк, Uкэ, Uбэ, Iб. Из параметров транзистора следует знать β (h21э), его зависимость от температуры и величину разброса; входное сопротивление транзистора в рабочей точке h11э.Наконец должны быть заданы рабочий диапазон температуры и либо допустимый сдвиг рабочей точки в этом диапазоне (ΔIк.доп или ΔIк.доп/Iк). либо коэффициент нестабильности S.

На рис. 1.2 схема усилительного каскада, позволяющая производить расчет основных параметров усилительного каскада R1, R2, Rэ, Rк, обеспечивающих положение рабочей точки и ее стабилизацию по температуре и разбросу параметров. Запишем основные уравнения, используя схему, представленную на рис1.2.

На рабочий ток транзистора, а значит, и на стабильность рабочей точки влияют следующие основные причины: тепловой ток Iк0, напряжение на эмиттерном переходе Uэб и интегральный коэффициент передачи тока β. Полное приращение коллекторного тока определяется как

где — коэффициент нестабильности (1.6);

— коэффициент токораспределения, показывающий какая часть тока Iк ответвляется в базу.

Очевидно, что приращение ΔIк будет тем меньше, чем меньше коэффициент нестабильности S. Из формулы (1.6) видно, что для получения максимальной стабильности нужно стремиться к выполнению условия γб ≈ 1 или вытекающего из него неравенства Rэ>>Rб. Это условие служит надежным ориентиром при проектировании стабильных транзисторных каскадов, однако выполнение его не всегда возможно и необходимо. Часто вполне удовлетворительные результаты дают значения Rэ/Rб=0,5-1, которым соответствует S=2-5.

При выполнении условия β >>γб , откуда

Решая совместно уравнения (1.5) и (1.7.), получим формулу для определения Rэ

Используя выражения (1.1) и (1.10), получим формулу для определения Rк

Применение формулы (1.11), требует определенных ограничений на выбор ΔІк . Потенциал базы фиксируется с помощью делителя напряжения R1,R2, которые по переменному току включены параллельно входу каскада. Уменьшение R1,R2 уменьшает входное сопротивление каскада, а, следовательно, уменьшает коэффициент усиления усилителя. Поэтому желательно выполнять соотношение Rб >h11э. Используя соотношения (1.7) и (1.11). получаем первое ограничение на выбор ΔІк .:

С другой стороны, очевидно, что Rк>0. Используя соотношения (1.11) и (1.12), получаем второе ограничение н а выбор ΔІк:

Таким образом получаем общие границы выбора ΔІк:

До сих пор мы использовали приращения ΔІк0, ΔUэб, Δβ, не оговаривая, какими причинами они обусловлены: разбросом параметров от транзистора к транзистору, временной «ползучестью» или температурным дрейфом. На практике чаще всего приходится учитывать влияние температуры, а для Δβ — разброс параметров. Зная температурный диапазон, можно рассчитать величины ΔІк0, ΔUэб соответственно по формулам:

В эти формулах φз – ширина запрещенной зоны: для германия φз=0,67В, для кремния φз=1,11В; q – заряд электрона; k – постоянная Больцмана; — температурный коэффициент напряжения.

Читайте также:  Самостоятельная работа по физике энергия магнитного поля тока

Источник

Как работает усилительный каскад на транзисторе, начинающим

Что такое транзисторный усилительный каскад и как он работает, примеры схем усилительных каскадов на транзисторе. В любой аналоговой электронной технике применяются усилительные каскады на транзисторах, как самостоятельные, так и в составе микросхем. И так, из школьного курса физики, мы знаем что биполярные транзисторы бывают структур P-N-P и N-P-N.

Вдаваться в подробности строения кристалла мы здесь не будем. Лучше разберемся что это нам дает. Так вот, питание биполярного транзистора P-N-P подается плюсом на его эмиттер, а минусом на его коллектор. И некоторое отрицательное, относительно эмиттера, напряжение смещения подается на его базу.

А вот питание биполярного транзистора N-P-N, совсем наоборот, — подается минусом на его эмиттер, а плюсом на его коллектор, и некоторое положительные, относительно эмиттера, напряжение смещение на его базу. Здесь будем рассматривать усилительные каскады на транзисторах структуры N-P-N.

Потому что такие каскады сейчас наиболее распространены, — почти вся современная аппаратура имеет общий минус, а питается положительным напряжением относительно общего минуса. Все что здесь будет сказано в отношении транзистора N-P-N применимо и к транзистору P-N-P, только все напряжения будут в обратной полярности.

Простейшие схемы усилительных каскадов на транзисторах

На рисунках 1 и 2 показаны простейшие схемы резистивных усилительных каскадов на транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Схема с общим эмиттером позволяет усиливать как ток, так и напряжение сигнала.

Простейшая схема резистивного усилительного каскада на транзисторе с общим эмиттером (ОЭ)

Рис. 1. Простейшая схема резистивного усилительного каскада на транзисторе с общим эмиттером (ОЭ).

Еще одна схема резистивного усилительного каскада на транзисторе с общим эмиттером (ОЭ)

Рис. 2. Еще одна схема резистивного усилительного каскада на транзисторе с общим эмиттером (ОЭ).

Есть два основных способа подачи напряжения смещения на базу транзистора в схеме с ОЭ. В схеме на рисунке 1 напряжение на базу подается через резистор R6, при этом само напряжение на базе зависит от делителя, состоящего из R6 и внутреннего сопротивления база-эмиттер транзистора.

В такой схеме для получения нужного напряжения смещения R6 имеет обычно большое сопротивление. Такой тип смещения называют смещением, фиксированным током базы.

На рисунке 2 напряжение базового смещения создается делителем из резисторов Rб1 и Rб2. В такой схеме сопротивление базовых резисторов может быть значительно меньше.

Это интересно тем, что изменение сопротивления эмиттер-база под действием изменения температуры в меньшей степени влияет на напряжение на базе транзистора. Такой каскад более термостабилен.

Кроме того меньше влияния на рабочую точку транзистора изменений в кристалле транзистора от старения, или при замене неисправного транзистора другим. Такой тип смещения называется фиксированным напряжением база-эмиттер.

Недостаток схемы на рис.2 в том, что входное сопротивление такого каскада значительно ниже, чем в схеме по рис.1. Но это важно, только если нужно большое входное сопротивление.

Разные экземпляры даже однотипных транзисторов могут существенно отличаться своими статическими параметрами, кроме того, есть и зависимость от температуры, поэтому желательно чтобы в усилительном каскаде была стабилизация режима работы транзистора.

Проще всего это сделать введением в каскад отрицательной обратной связи (ООС) по постоянному току, так, чтобы изменения входного тока или напряжения, к которым приводит работа ООС, противодействовали влиянию дестабилизирующих факторов.

Коллекторная стабилизация режима работы транзистора

На рисунке 3 показана схема коллекторной стабилизации режима работы транзистора. Обратите внимание, — каскад очень похож на схему на рис.1, но базовый резистор R6 подключен не к плюсу источника питания (+Uп), а к коллектору транзистора. Теперь получается, что напряжение смещения на базе транзистора зависит от напряжения на его коллекторе.

Которое, в свою очередь, зависит от напряжения на базе. И если по какой-то причине напряжение на коллекторе изменится, то и напряжение на базе изменится таким образом, что необходимая рабочая точка каскада будет восстановлена.

Схема коллекторной стабилизации режима работы транзистора

Рис. 3. Схема коллекторной стабилизации режима работы транзистора.

Эмиттерная стабилизация режима работы транзистора

Более высокой стабильности можно достигнуть применив эмиттерную стабилизацию режима работы транзистора (рис.4). Здесь стабильность повышается при увеличении сопротивления Rэ и уменьшении сопротивлений Rб1 и Rб2.

Однако и слишком большим сопротивление Rэ выбирать не следует, потому что при этом напряжение коллектор-эмиттер может оказаться слишком малым.

Не стоит увлекаться и сильным уменьшением сопротивлений R61 и R62, потому что при очень малых их величинах не только увеличивается ток потребления, но и, что гораздо важнее, очень сильно снижается входное сопротивление.

Эмиттерная стабилизация режима работы транзистора

Рис. 4. Эмиттерная стабилизация режима работы транзистора.

Чтобы снизить влияние ООС на переменный ток вводится конденсатор Сэ. Как известно, конденсатор имеет реактивное сопротивление, и постоянный ток через него не проходит, но проходит переменный. В результате переменный ток «обтекает» резистор Rэ через реактивное сопротивление Сэ.

И результирующее сопротивление в цепи эмиттера по переменному току оказывается значительно ниже, чем по постоянному. Поэтому ООС по переменному току значительно меньше, чем по постоянному.

Каскад с общим коллектором

Схема каскада с общим коллектором (рис.5.) обеспечивает усиление входного сигнала только по току.

Такие каскады называются эмиттерными повторителями, потому что по напряжению они не усиливают сигнал, а только повторяют его (было на входе 0,5V, и на выходе тоже будет 0,5V).

Но сила тока на выходе через нагрузку будет больше.

Они применяются тогда, когда нужно получить большое входное сопротивление. Отличие каскада с ОК (общим коллектором) от каскада ОЭ (общим эмиттером) в том, что в схеме с ОК выходной сигнал снимается с эмиттера. При этом сигнал не усиливается по напряжению и не инвертируется.

Схема каскада с общим коллектором

Рис. 5. Схема каскада с общим коллектором.

В схеме же с ОЭ сигнал инвертируется. Это демонстрируется на рисунках изображениями синусоид у входа и выхода каскадов. В схеме с ОЭ выходная синусоида противофазна входной. В схеме с ОК — они синфазны.

Читайте также:  Тех средства защиты человека от поражения током

Источник



Cхемы усилительных каскадов на транзисторах

При реализации транзисторных усилителей приходится решать ряд специфических задач. Прежде всего требуется обеспечить рабочий режим транзистора. Виды рабочих режимов транзистора, таких как режим линейного усиления A, режимы B, C, ключевые режимы D и F, мы уже рассматривали ранее. Чаще всего схемы усилительных каскадов на транзисторах рассматриваются применительно к режиму A. Наиболее распространенными схемами усилительных каскадов являются:

  • Схема с фиксированным током базы
  • Схема с фиксированным напряжением на базе
  • Схема коллекторной стабилизации
  • Схема эмиттерной стабилизации
  • Дифференциальный усилитель
  • Двухтактный усилитель

Схема с фиксированным током базы

Схема с фиксированным током базы является самой простой схемой усилительного каскада. Эта схема усилительного каскада используется в основном начинающими радиолюбителями. Кроме того она рассматривается в учебном процессе при обучении основам схемотехники. Схема усилительного каскада с фиксированным током базы позволяет использовать для питания цепей базы и коллектора транзистора один и тот же источник питания. Схема с фиксированным током базы приведена на рисунке 1.

Рисунок 1 Схема усилительного каскада с фиксированным током базы

Недостатком данной схемы усилительного каскада является зависимость линейных и нелинейных параметров усилителя от температуры, напряжения источника питания и разброса параметров транзисторов. По этой причине усилительные каскады с фиксированным током базы в современной аппаратуре не применяется. Подробнее.

Схема с фиксированным напряжением на базе

Схема с фиксированным напряжением на базе может применяться не только для питания усилительных каскадов на биполярных транзисторах, но и для реализации усилительных каскадов на полевых транзисторах. Схема с фиксированным напряжением на базе приведена на рисунке 2.

Рисунок 2 Схема усилительного каскада с фиксированным напряжением на базе

Схема усилительного каскада с фиксированным напряжением на базе вполне может подойти и для питания полевого транзистора В этом случае она будет называться схемой с фиксированным напряжением на затворе. Схема усилительного каскада с фиксированным напряжением на затворе приведена на рисунке 3.

Рисунок 3 Схема усилительного каскада с фиксированным напряжением на затворе

Стабильность параметров данной схемы усилительного каскада на транзисторе тоже является неудовлетворительной, что приводит к нестабильности основных параметров усилительного каскада, поэтому большее распространение получили схемы усилительных каскадов с эмиттерной и коллекторной стабилизацией. Подробнее.

Схема коллекторной стабилизации

Схема коллекторной стабилизации позволяет сохранять на выходе усилительного каскада половину питания в широком диапазоне питающих напряжений. Это достигнуто за счет отрицательной обратной связи по напряжению по постоянному току. В качестве примера коллекторной стабилизации режима работы транзистора на рисунке 4 приведена схема усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и коллекторной стабилизацией.

Рисунок 3 Схема усилительного каскада с коллекторной стабилизацией

Схемы усилительных каскадов с коллекторной стабилизацией обычно применяются в высокочастотных усилителях, таких как усилители радиочастоты, усилители промежуточной частоты или буферные усилители в синтезаторах частот, которые используются в гетеродинах приемников и передатчиков систем мобильной радиосвязи (в том числе и в сотовых телефонах). Подробнее.

Схема эмиттерной стабилизации

Схема эмиттерной стабилизации — это самая распространенная схема стабилизации режима работы транзисторного каскада в настоящее время. Усилительный каскад с эмиттерной стабилизацией обладает наибольшей стабильностью параметров из рассмотренных нами схем. Это связано с наибольшей достижимой глубиной обратной связи по постоянному току. Наиболее распространенная схема усилительного каскада с эмиттерной стабилизацией и включением транзистора с общим эмиттером приведена на рисунке 5.

Рисунок 5 Схема усилительного каскада с эмиттерной стабилизацией

В настоящее время усилительные каскады с эмиттерной стабилизацией наиболее широко применяются в схемах радиоприемников и передатчиков, входящих в состав радиоэлектронной аппаратуры. Они ставятся на входе специализированных микросхем для улучшения качественных параметров устройства в целом. Подробнее.

Дифференциальный усилитель

Еще одной распространенной схемой усилительного каскада является дифференциальный усилитель. Схема дифференциального усилителя получила распространение благодаря высокой помехоустойчивости входного дифференциального сигнала. Еще одним преимуществом данной схемы усилительного каскада является возможность применения низковольтных источников питания. Дифференциальный усилитель образуется при соединении эмиттеров двух транзисторов на едином сопротивлении или генераторе тока. Один из вариантом усилительного каскада, реализованного в виде дифференциального усилителя приведен на рисунке 6.

Рисунок 6 Схема дифференциального усилителя

Усилительные каскады, построенные по схеме дифференциального усилителя широко применяются в современных интегральных схемах, таких как операционные усилители, усилители промежуточной частоты и даже полностью функциональные узлы, такие как приемник ЧМ синалов, радиотракт сотовых телефонов, высококачественные смесители частоты и т.д. Подробнее.

Двухтактный усилитель

В двухтактном усилителе может быть использован любой из режимов работы транзистора, однако чаще всего в этой схеме каскада усилителя используется режим работы B. Это связано с тем, что двухтактные каскады применяются на выходе усилителя, где требуется повышенная экономичность работы (высокий к.п.д. усилительного каскада). Двухтактные усилители реализуются как на транзисторах с одинаковой проводимостью, так и с разной проводимостью транзисторов. Схема одного из самых распространенных видах двухтактных усилителей приведена на рисунке 7.

Рисунок 7 Схема двухтактного усилителя

Схемы двухтактных усилителей позволяют значительно уменьшать уровень четных гармоник входного сигнала, поэтому данная схема усилительного каскада получила значительное распространение, однако схема двухтактного усилителя широко применяется и в цифровой техники. В качестве примера можно привести КМОП-микросхемы. Подробнее.

Дата последнего обновления файла 20.11.2013

  1. Шило В. Л. «Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре» под ред. Е.И. Гальперина — М.: «Сов. радио» 1974
  2. Усилительный каскад на биполярном транзисторе Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича

Вместе со статьей «Cхемы усилительных каскадов на транзисторах» читают:

Источник